Исследовательская группа из Токийского технологического института недавно разработала стекируемую память, скорость ее передачи в четыре раза выше, чем у памяти HBM2E, а энергопотребление составляет всего одну пятую.
Исследовательская группа назвала новую память BBCube, и самым важным моментом является то, что в ней удалена послойная компоновка кристаллов пайки традиционной памяти.
Научно-исследовательская группа провела демонстрацию коллег на конференции VLSI IEEE Symposium 2023, состоявшейся в июне 2023 года, не только предложив эту новую концепцию, но и подробно описав технический процесс производства этой памяти.
Память с высокой пропускной способностью (HBM) — это высокопроизводительная память DRAM, основанная на процессе трехмерного стека, инициированная Samsung Electronics, AMD и SK Hynix, подходящая для приложений с высокими требованиями к пропускной способности памяти, таких как графические процессоры, сетевая коммутация и переадресация.
