Компания SK Hynix недавно объявила подробности о памяти 3D NAND восьмого поколения с более чем 300 сложенными слоями, и предполагается, что она будет запущена в конце 2024 или начале 2025 года.
Стек 3D NAND 8-го поколения вырос до более чем 300 слоев, имеет емкость 1 ТБ (128 ГБ), имеет трехуровневые ячейки и битовую плотность более 20 Гбит/мм^2.
Чип имеет размер страницы 16 КБ, 4 плоскости, скорость передачи интерфейса 2400 МТ/с и максимальную пропускную способность 194 МБ/с (на 18% быстрее, чем 238-слойная 3D NAND 7-го поколения).
Почти удвоение битовой плотности новой NAND будет означать значительное увеличение производительности на пластину для нового производственного узла, а также снизит затраты SK Hynix, хотя неясно, насколько.
